Basis Info
- Modell Nr.: Bismuth Telluride
- Anwendung : Elektronik , Industriell
- Reinheit : > 99,99%
- Klasse : 4N
- Legierung : Unlegierte
- Sekundär- : Non-sekundären
Zusätzliche Informationen..
- Trademark: WHDX
- Packing: Bag Vacuum Packing
- Standard: ingot, wafer, slice, powder, chunk
- Origin: China
- HS Code: 8541900000
Produktbeschreibung
Thermoelektrisches materielles Wismut-Tellurid (Bi2Te3)
Wismuttellurid ist ein Mittel des Tellurs und des Wismuts. Wenn es mit Selen oder Antimon legiert wird, tritt es als ein leistungsfä Higes thermoelektrisches materielles geeignetes fü R bewegliche Stromerzeugung oder Abkü Hlung auf. Es ist ein schmaler Abstand ü Berlagerter Halbleiter mit einer trigonal Gerä Tenzelle. Es tritt hauptsä Chlich in einem seltenen Mineraltellurobismuthite auf. Es wird produziert, indem man Wismut- und Tellurmetalle in einem Quarzgefä ß Unter Vakuum dichtet
1. MATERIELLER Ü BERBLICK
Eigenschaften: | Wismuttellurid ist ein Mittel des Tellurs und des Wismuts. Wenn es mit Selen oder Antimon legiert wird, tritt es als ein leistungsfä Higes thermoelektrisches materielles geeignetes fü R bewegliche Stromerzeugung oder Abkü Hlung auf. Es ist ein schmaler Abstand ü Berlagerter Halbleiter mit einer trigonal Gerä Tenzelle. Es tritt hauptsä Chlich in einem seltenen Mineraltellurobismuthite auf. Es wird produziert, indem man Wismut- und Tellurmetalle in einem Quarzgefä ß Unter Vakuum dichtet |
Anwendungen: | Wismuttellurid findet Anwendungen im Folgenden: Stromerzeugung- oder Abkü Hlenanwendungen Topologische Isolierungen |
Regelmä ß Ige Grö ß E: 1.6*1.6*2.0mm, 1.4*1.4*1.7mm, 5*5*5*5mm, 10*10*10mm und so weiter
Konnte kleine viel weniger als 1.00 mm wie 0.35mm auch und so weiter produzieren
Wir kö Nnten entsprechend Abnehmerbedingung auch produzieren
Willkommen, zum mit wir in Verbindung zu treten
2. ALLGEMEINE EIGENSCHAFTEN
Symbol: | Bi2Te3 |
CAS: | 1304-82-1 |
Atomgewicht: | 800.76 |
Gruppe | Wismut - 15 Tellur - 16 |
Kristallstruktur | Sechseckig-Rautenfö Rmig |
Gitter-Konstante | a = 4.38 Å c = 30.45 Å |
Dichte: | 7.73 g/cm3 |
Schmelzpunkt: | 585° C |
Mohs Hä Rte | 1.8 |
Elektron-Mobilitä T | 1140 cm2/Vs |
Lö Cherbeweglichkeit | 680 cm2/Vs |
Wä Rmeleitfä Higkeit | 3 W/mK |
3. Bedingung
P-Typ Barren: |
1. Reinheit: 99.99% 2. Wä Rmeleitfä Higkeit (K): 1.2-1.6w/m. K 3. Seebeck (S): 200-230 UV 4. Elektrische Leitfä Higkeit (rou): 850-1250 5. Abbildung von Ü Bertragungsgü Te (Z): 2.55 - 3.4× 10-3. K-1. 6. ZT> =1.1@300K |
N-Typ Barren: |
1. Reinheit: 99.99% 2. Wä Rmeleitfä Higkeit (K): 1.2-1.6w/m. K 3. Seebeck (S): 205-235 UV 4. Elektrische Leitfä Higkeit (rou): 850-1250 5. Abbildung von Ü Bertragungsgü Te (Z): 2.34-3.2× 10-3. K-1. 6. ZT> =1.1@300K |
Produkttyp
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